Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi

Kaj Grahn, Kari Halonen

Research output: Book/ReportReportProfessional

Abstract

Simulointiohjelmaa SUPREM2 voidaan käyttää apuvälineenä suunniteltaessa uutta puoliiohdekomponenttien valmistusprosessia tai kehiteltäessä jo olemassa olevaa prosessia. Ohjelma laskee prosessiaskeleiden, epitaktinen kasvatus, ioni-istutus, oksidointi ja diffuusio, aikana tapahtuvan konsentraatioprofiilin muutoksen. Lisäksi se laskee pn-liitosten syvyydet sekä puolijohdekomponenttien sähköiset suureet, neliövastuksen ja kynnysjännitteen. Aluksi käydään läpi eri prosessivaiheita kuvaavia matemaattisia malleja ja tarkastellaan lyhyesti simulointiohjelman rakennetta. Uusi yhteispohjoismainen CMOS-prosessi, nimeltään NordiCMOS, on simuloitu SUPREM2:lla. Simuloidut tulokset vastaavat hyvin muualla mitattuja vastaavan prosessin arvoja. Tavoitteena on saada toimiva prosessi suunnittelusääntöineen.
Original languageFinnish
Place of PublicationEspoo
PublisherVTT Technical Research Centre of Finland
Number of pages68
ISBN (Print)951-38-1848-9
Publication statusPublished - 1985
MoE publication typeD4 Published development or research report or study

Publication series

NameTiedotteita / Valtion teknillinen tutkimuskeskus
PublisherVTT
Volume412

Keywords

  • integrated circuits
  • semiconductor devices
  • manufacturing
  • computer simulation
  • mathematical models

Cite this

Grahn, K., & Halonen, K. (1985). Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi. Espoo: VTT Technical Research Centre of Finland. Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Tiedotteita, No. 412
Grahn, Kaj ; Halonen, Kari. / Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi. Espoo : VTT Technical Research Centre of Finland, 1985. 68 p. (Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Tiedotteita; No. 412).
@book{445cd2ae01cf407581e5f99033cc64a6,
title = "Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi",
abstract = "Simulointiohjelmaa SUPREM2 voidaan k{\"a}ytt{\"a}{\"a} apuv{\"a}lineen{\"a} suunniteltaessa uutta puoliiohdekomponenttien valmistusprosessia tai kehitelt{\"a}ess{\"a} jo olemassa olevaa prosessia. Ohjelma laskee prosessiaskeleiden, epitaktinen kasvatus, ioni-istutus, oksidointi ja diffuusio, aikana tapahtuvan konsentraatioprofiilin muutoksen. Lis{\"a}ksi se laskee pn-liitosten syvyydet sek{\"a} puolijohdekomponenttien s{\"a}hk{\"o}iset suureet, neli{\"o}vastuksen ja kynnysj{\"a}nnitteen. Aluksi k{\"a}yd{\"a}{\"a}n l{\"a}pi eri prosessivaiheita kuvaavia matemaattisia malleja ja tarkastellaan lyhyesti simulointiohjelman rakennetta. Uusi yhteispohjoismainen CMOS-prosessi, nimelt{\"a}{\"a}n NordiCMOS, on simuloitu SUPREM2:lla. Simuloidut tulokset vastaavat hyvin muualla mitattuja vastaavan prosessin arvoja. Tavoitteena on saada toimiva prosessi suunnittelus{\"a}{\"a}nt{\"o}ineen.",
keywords = "integrated circuits, semiconductor devices, manufacturing, computer simulation, mathematical models",
author = "Kaj Grahn and Kari Halonen",
year = "1985",
language = "Finnish",
isbn = "951-38-1848-9",
series = "Tiedotteita / Valtion teknillinen tutkimuskeskus",
publisher = "VTT Technical Research Centre of Finland",
address = "Finland",

}

Grahn, K & Halonen, K 1985, Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi. Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Tiedotteita, no. 412, VTT Technical Research Centre of Finland, Espoo.

Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi. / Grahn, Kaj; Halonen, Kari.

Espoo : VTT Technical Research Centre of Finland, 1985. 68 p. (Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Tiedotteita; No. 412).

Research output: Book/ReportReportProfessional

TY - BOOK

T1 - Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi

AU - Grahn, Kaj

AU - Halonen, Kari

PY - 1985

Y1 - 1985

N2 - Simulointiohjelmaa SUPREM2 voidaan käyttää apuvälineenä suunniteltaessa uutta puoliiohdekomponenttien valmistusprosessia tai kehiteltäessä jo olemassa olevaa prosessia. Ohjelma laskee prosessiaskeleiden, epitaktinen kasvatus, ioni-istutus, oksidointi ja diffuusio, aikana tapahtuvan konsentraatioprofiilin muutoksen. Lisäksi se laskee pn-liitosten syvyydet sekä puolijohdekomponenttien sähköiset suureet, neliövastuksen ja kynnysjännitteen. Aluksi käydään läpi eri prosessivaiheita kuvaavia matemaattisia malleja ja tarkastellaan lyhyesti simulointiohjelman rakennetta. Uusi yhteispohjoismainen CMOS-prosessi, nimeltään NordiCMOS, on simuloitu SUPREM2:lla. Simuloidut tulokset vastaavat hyvin muualla mitattuja vastaavan prosessin arvoja. Tavoitteena on saada toimiva prosessi suunnittelusääntöineen.

AB - Simulointiohjelmaa SUPREM2 voidaan käyttää apuvälineenä suunniteltaessa uutta puoliiohdekomponenttien valmistusprosessia tai kehiteltäessä jo olemassa olevaa prosessia. Ohjelma laskee prosessiaskeleiden, epitaktinen kasvatus, ioni-istutus, oksidointi ja diffuusio, aikana tapahtuvan konsentraatioprofiilin muutoksen. Lisäksi se laskee pn-liitosten syvyydet sekä puolijohdekomponenttien sähköiset suureet, neliövastuksen ja kynnysjännitteen. Aluksi käydään läpi eri prosessivaiheita kuvaavia matemaattisia malleja ja tarkastellaan lyhyesti simulointiohjelman rakennetta. Uusi yhteispohjoismainen CMOS-prosessi, nimeltään NordiCMOS, on simuloitu SUPREM2:lla. Simuloidut tulokset vastaavat hyvin muualla mitattuja vastaavan prosessin arvoja. Tavoitteena on saada toimiva prosessi suunnittelusääntöineen.

KW - integrated circuits

KW - semiconductor devices

KW - manufacturing

KW - computer simulation

KW - mathematical models

M3 - Report

SN - 951-38-1848-9

T3 - Tiedotteita / Valtion teknillinen tutkimuskeskus

BT - Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi

PB - VTT Technical Research Centre of Finland

CY - Espoo

ER -

Grahn K, Halonen K. Puolijohdekomponenttien valmistusprosessin simulointi. Espoo: VTT Technical Research Centre of Finland, 1985. 68 p. (Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Tiedotteita; No. 412).